Comchip Technology - 1N5407-G

KEY Part #: K6443917

Დეტალური აღწერა:: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD. Diodes - General Purpose, Power, Switching VR=800V, IO=3A

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დენის მართვის მოდული, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ხიდის გასწორება and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in Comchip Technology 1N5407-G electronic components. 1N5407-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5407-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : 1N5407-G

მწარმოებელი : Comchip Technology

აღწერა : DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Active

დიოდის ტიპი : Standard

ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 800V

მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3A

ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 3A

სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

უკუ აღდგენის დრო (trr) : -

მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 800V

Capacitance @ Vr, F : -

სამონტაჟო ტიპი : Through Hole

პაკეტი / საქმე : DO-201AD, Axial

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-27 (DO-201AD)

ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 125°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

BAS16-D87Z

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3.
VS-HFA08TA60C-N3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AB.
VSB1545-M3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 45V 15A P600.
BAY80-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35.
VS-8ETU04STRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 8A TO262.
VS-MBRB1045PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 45V 10A D2PAK.

ცხელი ნაწილები