Toshiba Semiconductor and Storage - TK62N60X,S1F

KEY Part #: K6398051

TK62N60X,S1F ფასები (აშშ დოლარი) [9132ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$4.96228
  • 30 pcs$4.06957
  • 120 pcs$3.67250
  • 510 pcs$3.07696

Ნაწილი ნომერი:
TK62N60X,S1F
მწარმოებელი:
Toshiba Semiconductor and Storage
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60X,S1F electronic components. TK62N60X,S1F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK62N60X,S1F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK62N60X,S1F პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : TK62N60X,S1F
მწარმოებელი : Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა : MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
სერიები : DTMOSIV-H
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 61.8A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 3.1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 135nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 6500pF @ 300V
FET თვისება : Super Junction
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 400W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-247
პაკეტი / საქმე : TO-247-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • IRFR6215PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • IRFIZ48NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP.

  • TK10A60E,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V TO220SIS.

  • TK100A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 100A TO-220.