Diodes Incorporated - KBJ406G

KEY Part #: K6540352

KBJ406G ფასები (აშშ დოლარი) [90796ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.40974
  • 20 pcs$0.34646
  • 100 pcs$0.27017
  • 500 pcs$0.22318
  • 1,000 pcs$0.17620

Ნაწილი ნომერი:
KBJ406G
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A KBJ. Bridge Rectifiers 4.0A 600V
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated KBJ406G electronic components. KBJ406G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for KBJ406G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

KBJ406G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : KBJ406G
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A KBJ
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Single Phase
ტექნოლოგია : Standard
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 4A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 2A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 600V
ოპერაციული ტემპერატურა : -65°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : 4-SIP, KBJ
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : KBJ

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-GBPC3504W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 400 Volt 35 Amp

  • GBPC2502W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 200V 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 25 Amp 200 Volt

  • GBPC2510W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 1KV 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 25 Amp 1000 Volt

  • DBL107G C1G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DBL. Bridge Rectifiers 1A,1000V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.

  • DBL106G C1G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBL. Bridge Rectifiers 1A,800V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.

  • TS25P07G D2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A TS-6P. Bridge Rectifiers 25A 1000V Standard Bridge Rectif