Vishay Siliconix - SQ4435EY-T1_GE3

KEY Part #: K6419824

SQ4435EY-T1_GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [135773ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.27242

Ნაწილი ნომერი:
SQ4435EY-T1_GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დენის მართვის მოდული, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SQ4435EY-T1_GE3 electronic components. SQ4435EY-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ4435EY-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ4435EY-T1_GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SQ4435EY-T1_GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 15A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 58nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2170pF @ 15V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 6.8W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SOIC
პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ