ON Semiconductor - NSVBAT54LT1G

KEY Part #: K6425505

NSVBAT54LT1G ფასები (აშშ დოლარი) [1478599ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.02502
  • 12,000 pcs$0.01942

Ნაწილი ნომერი:
NSVBAT54LT1G
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 30V TR
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - JFET, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor NSVBAT54LT1G electronic components. NSVBAT54LT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSVBAT54LT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NSVBAT54LT1G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : NSVBAT54LT1G
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 30V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 200mA (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 800mV @ 100mA
სიჩქარე : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 5ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 2µA @ 25V
Capacitance @ Vr, F : 10pF @ 1V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-23-3 (TO-236)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 125°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BAS70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3.

  • QH12BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 12A, Rectifier

  • QH03BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 3A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 3A, Rectifier

  • VS-SD1100C12C

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 1400A B-43. Rectifiers 1200 Volt 1400 Amp

  • 63SPB100A

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V 60A SPD-2A.

  • SBAS116LT1G

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 75V T