Alliance Memory, Inc. - AS4C16M32MSA-6BIN

KEY Part #: K937513

AS4C16M32MSA-6BIN ფასები (აშშ დოლარი) [17157ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.67064

Ნაწილი ნომერი:
AS4C16M32MSA-6BIN
მწარმოებელი:
Alliance Memory, Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA. DRAM 512M 166MHz 16Mx32 Mobile LP SDRAM IT
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - მძღოლები, მიმღები, გადამცემები, მეხსიერება - კონტროლერები, PMIC - ბატარეის მენეჯმენტი, ინტერფეისი - ტელეკომი, PMIC - ლაზერული დრაივერი, PMIC - კარიბჭის მძღოლები, ინტერფეისი - სენსორისა და დეტექტორის ინტერფეისი and PMIC - განათების, ბალასტის კონტროლერები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C16M32MSA-6BIN electronic components. AS4C16M32MSA-6BIN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C16M32MSA-6BIN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C16M32MSA-6BIN პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : AS4C16M32MSA-6BIN
მწარმოებელი : Alliance Memory, Inc.
აღწერა : IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - Mobile SDRAM
მეხსიერების ზომა : 512Mb (16M x 32)
საათის სიხშირე : 166MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 5.4ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.95V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 90-VFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 90-FBGA (8x13)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MB85RS2MTAPH-G-JNE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP.

  • 71V25761S183PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • S25FS512SDSNFV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M SPI 80MHZ. NOR Flash Nor

  • S29GL512T12DHVV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC NOR. NOR Flash Nor