Ნაწილი ნომერი :
ZXMP6A17N8TC
მწარმოებელი :
Diodes Incorporated
აღწერა :
MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
2.7A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
17.7nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
637pF @ 30V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
1.56W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-SO
პაკეტი / საქმე :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)