თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი
  5. JANTXV1N6631US

Microsemi Corporation - JANTXV1N6631US

KEY Part #: K6446826

JANTXV1N6631US ფასები (აშშ დოლარი) [3183ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$13.67618
  • 100 pcs$13.60814
Ნაწილი ნომერი:
JANTXV1N6631US
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დენის მართვის მოდული and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6631US electronic components. JANTXV1N6631US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6631US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N6631US პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : JANTXV1N6631US
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B
სერიები : Military, MIL-PRF-19500/590
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1100V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1.4A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.6V @ 1.4A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 60ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 4µA @ 1100V
Capacitance @ Vr, F : 40pF @ 10V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : E-MELF
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-5B
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C

Უახლესი ცნობები

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • SRP600J-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A P600.

  • GPP60G-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 6A P600.

  • GPP60B-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 6A P600.

  • BYM07-400HE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • BYM07-200HE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

  • SBLB1030HE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO263AB.

ცხელი ნაწილები