თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი
  5. JANTXV1N5807US

Microsemi Corporation - JANTXV1N5807US

KEY Part #: K6444312

[2493ცალი საფონდო]

    Ნაწილი ნომერი:
    JANTXV1N5807US
    მწარმოებელი:
    Microsemi Corporation
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 50V 3A D5B. ESD Suppressors / TVS Diodes MIL, QPL PART, 3A 50V ULTRAFAST RECT- SQ END CAPS
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტირისტორები - სკკ, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - RF and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N5807US electronic components. JANTXV1N5807US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N5807US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JANTXV1N5807US პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : JANTXV1N5807US
    მწარმოებელი : Microsemi Corporation
    აღწერა : DIODE GEN PURP 50V 3A D5B
    სერიები : Military, MIL-PRF-19500/477
    ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 50V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 875mV @ 4A
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 30ns
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 50V
    Capacitance @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : SQ-MELF, B
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-5B
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

    Უახლესი ცნობები

    Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • DB3Y313KEL

      Panasonic Electronic Components

      DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

    • VS-8EWS12STRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK.

    • VS-10WQ045FNPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK.

    • VS-STPS1045BTRRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK.

    • VS-MBRD330PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 30V 3A DPAK.

    • VS-10TQ035SPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 35V 10A D2PAK.

    ცხელი ნაწილები