IXYS - GWM180-004X2-SMDSAM

KEY Part #: K6523004

GWM180-004X2-SMDSAM ფასები (აშშ დოლარი) [4068ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$11.17943

Ნაწილი ნომერი:
GWM180-004X2-SMDSAM
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS GWM180-004X2-SMDSAM electronic components. GWM180-004X2-SMDSAM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GWM180-004X2-SMDSAM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GWM180-004X2-SMDSAM პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : GWM180-004X2-SMDSAM
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET თვისება : Standard
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 110nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
ძალა - მაქსიმუმი : -
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 17-SMD, Gull Wing
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : ISOPLUS-DIL™

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • DMN2040LTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.