Vishay Semiconductor Diodes Division - RGP25MHE3/54

KEY Part #: K6446783

[1648ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    RGP25MHE3/54
    მწარმოებელი:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 1KV 2.5A DO201.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტირისტორები - TRIACs, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGP25MHE3/54 electronic components. RGP25MHE3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGP25MHE3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RGP25MHE3/54 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : RGP25MHE3/54
    მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
    აღწერა : DIODE GEN PURP 1KV 2.5A DO201
    სერიები : SUPERECTIFIER®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1000V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 2.5A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.3V @ 2.5A
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 500ns
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 1000V
    Capacitance @ Vr, F : 60pF @ 4V, 1MHz
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    პაკეტი / საქმე : DO-201AD, Axial
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-201AD
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • SRP600J-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 6A P600.

    • BYM07-400HE3/98

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

    • BYM07-200HE3/83

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

    • SBLB1030HE3/81

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO263AB.

    • SBLB10L25HE3/81

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 25V 10A TO263AB.

    • NSB8JTHE3/81

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB.