Diodes Incorporated - DMN3016LDV-7

KEY Part #: K6522882

DMN3016LDV-7 ფასები (აშშ დოლარი) [326848ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.11316
  • 2,000 pcs$0.10056

Ნაწილი ნომერი:
DMN3016LDV-7
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated DMN3016LDV-7 electronic components. DMN3016LDV-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3016LDV-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3016LDV-7 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DMN3016LDV-7
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual)
FET თვისება : Standard
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : -
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 9.5nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1184pF @ 15V
ძალა - მაქსიმუმი : -
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 8-PowerVDFN
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerDI3333-8

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • DMN2040LTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.

  • SH8K3TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8.

  • SI4804CDY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC.

  • SH8M3TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8.