IXYS - IXTH20N60

KEY Part #: K6413343

IXTH20N60 ფასები (აშშ დოლარი) [9197ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$5.17902
  • 30 pcs$5.15325

Ნაწილი ნომერი:
IXTH20N60
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXTH20N60 electronic components. IXTH20N60 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH20N60, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH20N60 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXTH20N60
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
სერიები : MegaMOS™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 170nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 4500pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 300W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-247 (IXTH)
პაკეტი / საქმე : TO-247-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IRF5802TR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • 2N7000RLRMG

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • BTS282Z E3180A

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.

  • FQD4P25TF

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK.

  • FQD4N25TF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 3A DPAK.

  • IRLR8113TR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.