GeneSiC Semiconductor - 1N8035-GA

KEY Part #: K6444970

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დენის მართვის მოდული, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and დიოდები - გასწორება - მასივები ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N8035-GA electronic components. 1N8035-GA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N8035-GA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : 1N8035-GA

მწარმოებელი : GeneSiC Semiconductor

აღწერა : DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Obsolete

დიოდის ტიპი : Silicon Carbide Schottky

ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 650V

მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 14.6A (DC)

ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.5V @ 15A

სიჩქარე : No Recovery Time > 500mA (Io)

უკუ აღდგენის დრო (trr) : 0ns

მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 650V

Capacitance @ Vr, F : 1107pF @ 1V, 1MHz

სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount

პაკეტი / საქმე : TO-276AA

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-276

ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 250°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

RD0506T-TL-H

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA.
RD0106T-TL-H

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 1A TPFA.
RD0504T-TL-H

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 400V 5A TPFA.
VS-50WQ06FNPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.
SRP600K-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 6A P600.
SRP600B-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 100V 6A P600.

ცხელი ნაწილები