ON Semiconductor - ATP401-TL-H

KEY Part #: K6418467

ATP401-TL-H ფასები (აშშ დოლარი) [64117ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.61288
  • 3,000 pcs$0.60983

Ნაწილი ნომერი:
ATP401-TL-H
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 60V 100A ATPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - მასივები and Thististors - SCRs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor ATP401-TL-H electronic components. ATP401-TL-H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ATP401-TL-H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ATP401-TL-H პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : ATP401-TL-H
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MOSFET N-CH 60V 100A ATPAK
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Last Time Buy
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 100A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 300nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 17000pF @ 20V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 90W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : ATPAK
პაკეტი / საქმე : ATPAK (2 leads+tab)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.