Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG21M-M3/TR

KEY Part #: K6439751

BYG21M-M3/TR ფასები (აშშ დოლარი) [623641ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.05931
  • 10,800 pcs$0.05158

Ნაწილი ნომერი:
BYG21M-M3/TR
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A. Rectifiers 1.5A,1000V,120nS Fast Avalanche,SMD
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG21M-M3/TR electronic components. BYG21M-M3/TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG21M-M3/TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG21M-M3/TR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BYG21M-M3/TR
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Avalanche
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1000V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1.5A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.6V @ 1.5A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 120ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 1µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-214AC, SMA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-214AC (SMA)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-6EWL06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6A 600V 59ns Ultrafast

  • BYG20G-E3/TR3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 400V 1.5A. Rectifiers 1.5 Amp 400 Volt

  • BYG22D-M3/TR3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC. Rectifiers 2A,200V,25nS UF Fast Avalanche,SMD

  • BYG22B-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC. Rectifiers 2A,100V,25nS UF Fast Avalanche,SMD

  • BYG24D-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 200V 1.5A. Rectifiers 1.5A,200V,140nS Fast Avalanche,SMD

  • BYG10K-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 800V 1.5A. Rectifiers 1.5A,800V VGSC-STD Avalanche SMD