[2142ცალი საფონდო]
- Ნაწილი ნომერი:
- AU3PJHM3/86A
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE AVALANCHE 600V 1.7A TO277A.
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and დენის მართვის მოდული ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division AU3PJHM3/86A electronic components. AU3PJHM3/86A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AU3PJHM3/86A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
AU3PJHM3/86A პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
AU3PJHM3/86A
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE AVALANCHE 600V 1.7A TO277A
სერიები :
eSMP®
ნაწილის სტატუსი :
Discontinued at Digi-Key
დიოდის ტიპი :
Avalanche
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
1.7A (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.9V @ 3A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
75ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
10µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F :
72pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
TO-277, 3-PowerDFN
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-277A (SMPC)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 175°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
-
BYG22A-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC. Rectifiers 2.0 Amp 50 Volt
-
BYS10-45-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 45V 1.5A DO214AC. Schottky Diodes & Rectifiers 1.5 Amp 45 Volt
-
RS1A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1.0 Amp 50V 150ns
-
US1KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC. Rectifiers 800 Volt 1.0A 75ns 30 Amp IFSM
-
RS1GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC. Rectifiers 400 Volt 1.0A 150ns 36 Amp IFSM
ცხელი ნაწილები
- IDL10G65C5XUMA1
- IDK03G65C5XTMA1
- JANTXV1N1190R
- VS-150SQ030
- 1N6304R
- RGP10K-M3/54
- RK 14
- VS-80SQ030TR
- S4250TS
- CD1005-B0140R
- SUF15G-E3/54
- SS3P6-E3/85A
- CDBP0130R-G
- BY229B-400-E3/81
- FGP50D-E3/73
- S204100
- ES3A-E3/51T
- FFPF06UP20STU
- VS-90SQ035TR
- R2040
- 8ETH03
- 80EPS12
- 300HF40P
- S3G-13
- FR603-T
- HFA25PB60
- VS-95SQ015
- SF12M-TP
- CR3-060GPP BK
- APD245VRTR-G1
- MUR140-TP
- HER204-TP
- FR154-TP
- 1N4944-TP
- 1A4-AP
- GIB1404HE3/81
- CMR1U-02 BK
- RX 10ZV
- SE10PB-M3/85A
- SE07PD-M3/85A
选择你的位置