Vishay Siliconix - SI3493BDV-T1-E3

KEY Part #: K6416233

SI3493BDV-T1-E3 ფასები (აშშ დოლარი) [287068ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.12885
  • 3,000 pcs$0.10913

Ნაწილი ნომერი:
SI3493BDV-T1-E3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, დენის მართვის მოდული, დიოდები - RF, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტირისტორები - სკკ and ტრანზისტორები - JFET ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI3493BDV-T1-E3 electronic components. SI3493BDV-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3493BDV-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3493BDV-T1-E3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI3493BDV-T1-E3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 8A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 43.5nC @ 5V
Vgs (მაქს) : ±8V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1805pF @ 10V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 6-TSOP
პაკეტი / საქმე : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • IRF5802TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • BS170

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • IRFR5305TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 31A DPAK.

  • PSMN5R0-80PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB.

  • FDG311N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6.