მწარმოებელი :
GeneSiC Semiconductor
აღწერა :
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBP
დიოდის ტიპი :
Single Phase
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) :
800V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
2A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.1V @ 2A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
10µA @ 50V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-50°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
4-SIP, KBP
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
KBP