IXYS - IXFT20N80P

KEY Part #: K6395201

IXFT20N80P ფასები (აშშ დოლარი) [13657ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.33580
  • 30 pcs$3.31921

Ნაწილი ნომერი:
IXFT20N80P
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 800V 20A TO-268.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and დენის მართვის მოდული ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFT20N80P electronic components. IXFT20N80P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT20N80P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT20N80P პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFT20N80P
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 800V 20A TO-268
სერიები : HiPerFET™, PolarHT™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 800V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 520 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 86nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 4685pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 500W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-268
პაკეტი / საქმე : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IXTY1N80P

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 1A TO-252.

  • IXTY48P05T

    IXYS

    MOSFET P-CH 50V 48A TO-252.

  • IXTY08N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252.

  • IXTY1N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252.

  • FDN359BN

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3.

  • FDN358P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3.