GeneSiC Semiconductor - FR85D05

KEY Part #: K6425035

Დეტალური აღწერა:: DIODE GEN PURP 200V 85A DO5. Rectifiers 200V 85A Fast Recovery

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in GeneSiC Semiconductor FR85D05 electronic components. FR85D05 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FR85D05, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : FR85D05

მწარმოებელი : GeneSiC Semiconductor

აღწერა : DIODE GEN PURP 200V 85A DO5

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Active

დიოდის ტიპი : Standard

ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 200V

მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 85A

ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.4V @ 85A

სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

უკუ აღდგენის დრო (trr) : 500ns

მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 25µA @ 100V

Capacitance @ Vr, F : -

სამონტაჟო ტიპი : Chassis, Stud Mount

პაკეტი / საქმე : DO-203AB, DO-5, Stud

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-5

ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -40°C ~ 125°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

FGD5T120SH

ON Semiconductor

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.
FGD3N60UNDF

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 60W DPAK.
BAS40E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
IGB01N120H2ATMA1

Infineon Technologies

IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2.
LXA06B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr
QH05BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier

ცხელი ნაწილები