Infineon Technologies - IRF9317TRPBF

KEY Part #: K6417012

IRF9317TRPBF ფასები (აშშ დოლარი) [220599ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.16767
  • 4,000 pcs$0.13626

Ნაწილი ნომერი:
IRF9317TRPBF
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 30V 16A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დენის მართვის მოდული, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IRF9317TRPBF electronic components. IRF9317TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF9317TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF9317TRPBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IRF9317TRPBF
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET P-CH 30V 16A 8-SOIC
სერიები : HEXFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 16A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.6 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 50µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 92nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2820pF @ 15V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2.5W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SO
პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.