Diodes Incorporated - DMN3190LDW-7

KEY Part #: K6525350

DMN3190LDW-7 ფასები (აშშ დოლარი) [974181ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.03797
  • 3,000 pcs$0.03480

Ნაწილი ნომერი:
DMN3190LDW-7
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - გასწორება - მასივები and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated DMN3190LDW-7 electronic components. DMN3190LDW-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3190LDW-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3190LDW-7 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DMN3190LDW-7
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual)
FET თვისება : Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 2nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 87pF @ 20V
ძალა - მაქსიმუმი : 320mW
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-363

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ