თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები
  5. APT100GN120JDQ4

Microsemi Corporation - APT100GN120JDQ4

KEY Part #: K6532834

APT100GN120JDQ4 ფასები (აშშ დოლარი) [2014ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$21.61066
  • 10 pcs$21.50314
Ნაწილი ნომერი:
APT100GN120JDQ4
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
IGBT 1200V 153A 446W SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation APT100GN120JDQ4 electronic components. APT100GN120JDQ4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT100GN120JDQ4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT100GN120JDQ4 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : APT100GN120JDQ4
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : IGBT 1200V 153A 446W SOT227
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : Trench Field Stop
კონფიგურაცია : Single
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 153A
ძალა - მაქსიმუმი : 446W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 100A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 200µA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 6.5nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : No
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : SOT-227-4, miniBLOC
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : ISOTOP®

Უახლესი ცნობები

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

  • VS-GB75LA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A LS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

  • VS-GT140DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 200A 652W SOT-227.

  • VS-GT120DA65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG.

ცხელი ნაწილები