Cypress Semiconductor Corp - S25FL512SAGMFBG13

KEY Part #: K936830

S25FL512SAGMFBG13 ფასები (აშშ დოლარი) [15176ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.01935

Ნაწილი ნომერი:
S25FL512SAGMFBG13
მწარმოებელი:
Cypress Semiconductor Corp
Დეტალური აღწერა:
IC 512M FLASH MEMORY. NOR Flash IC 512M FLASH MEMORY
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ლოგიკა - სიგნალის კონცენტრატორები, მულტიპლექსერები, ლოგიკა - მრიცხველები, გამყოფი, საათი / დრო - საათის ბუფერები, მძღოლები, PMIC - მძღოლები, კონტროლერები, ლოგიკა - შემსრულებლები, ხაზოვანი - შემსრულებლები, PMIC - AC DC გადამყვანი, ოფლაინ გადამრთველები and PMIC - ძაბვის რეგულატორები - DC DC გადართვის რეგულ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Cypress Semiconductor Corp S25FL512SAGMFBG13 electronic components. S25FL512SAGMFBG13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S25FL512SAGMFBG13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S25FL512SAGMFBG13 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : S25FL512SAGMFBG13
მწარმოებელი : Cypress Semiconductor Corp
აღწერა : IC 512M FLASH MEMORY
სერიები : Automotive, AEC-Q100, FL-S
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი : FLASH
ტექნოლოგია : FLASH - NOR
მეხსიერების ზომა : 512Mb (64M x 8)
საათის სიხშირე : 133MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : -
მეხსიერების ინტერფეისი : SPI - Quad I/O
ძაბვა - მიწოდება : 2.7V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 105°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 16-SOIC

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • IS61LP6432A-133TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16