Diodes Incorporated - HTMN5130SSD-13

KEY Part #: K6522170

HTMN5130SSD-13 ფასები (აშშ დოლარი) [92797ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.42136
  • 2,500 pcs$0.37135

Ნაწილი ნომერი:
HTMN5130SSD-13
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated HTMN5130SSD-13 electronic components. HTMN5130SSD-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HTMN5130SSD-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HTMN5130SSD-13 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : HTMN5130SSD-13
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual)
FET თვისება : Standard
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 55V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 8.9nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 218.7pF @ 25V
ძალა - მაქსიმუმი : 1.7W
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SO

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ