Microsemi Corporation - APTGL180A1202G

KEY Part #: K6532500

APTGL180A1202G ფასები (აშშ დოლარი) [1006ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$46.14016
  • 10 pcs$40.30525

Ნაწილი ნომერი:
APTGL180A1202G
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
POWER MOD IGBT4 PHASE LEG SP2.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - მასივები and დიოდები - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation APTGL180A1202G electronic components. APTGL180A1202G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGL180A1202G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGL180A1202G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : APTGL180A1202G
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : POWER MOD IGBT4 PHASE LEG SP2
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : Trench Field Stop
კონფიგურაცია : Half Bridge
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 220A
ძალა - მაქსიმუმი : 750W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 150A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 300µA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 9.3nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : No
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : SP2
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SP2

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A1P35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1.