Littelfuse Inc. - MG12150D-BA1MM

KEY Part #: K6532599

MG12150D-BA1MM ფასები (აშშ დოლარი) [817ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$58.22212
  • 10 pcs$54.58510
  • 25 pcs$52.03775
  • 100 pcs$49.12659

Ნაწილი ნომერი:
MG12150D-BA1MM
მწარმოებელი:
Littelfuse Inc.
Დეტალური აღწერა:
IGBT 1200V 210A 1100W PKG D.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Littelfuse Inc. MG12150D-BA1MM electronic components. MG12150D-BA1MM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MG12150D-BA1MM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MG12150D-BA1MM პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : MG12150D-BA1MM
მწარმოებელი : Littelfuse Inc.
აღწერა : IGBT 1200V 210A 1100W PKG D
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : -
კონფიგურაცია : Half Bridge
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 210A
ძალა - მაქსიმუმი : 1100W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 1.8V @ 15V, 150A (Typ)
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 1mA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 11nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : No
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : Module
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.