Infineon Technologies - FS75R12W2T4B11BOMA1

KEY Part #: K6534580

FS75R12W2T4B11BOMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [1546ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$28.00432

Ნაწილი ნომერი:
FS75R12W2T4B11BOMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOD IGBT LOW PWR EASY2B-2.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies FS75R12W2T4B11BOMA1 electronic components. FS75R12W2T4B11BOMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS75R12W2T4B11BOMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS75R12W2T4B11BOMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FS75R12W2T4B11BOMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOD IGBT LOW PWR EASY2B-2
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : Trench Field Stop
კონფიგურაცია : Full Bridge
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 107A
ძალა - მაქსიმუმი : 375W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 75A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 1mA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 4.3nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : Yes
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : Module
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Module

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-CPV364M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2.

  • VS-CPV362M4FPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2.

  • VS-CPV364M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • A2P75S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.

  • A2P75S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.

  • A1C15S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 15A ACEPACK1.