ON Semiconductor - FDU8586

KEY Part #: K6410011

[83ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    FDU8586
    მწარმოებელი:
    ON Semiconductor
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, Thististors - DIACs, SIDACs, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in ON Semiconductor FDU8586 electronic components. FDU8586 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDU8586, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDU8586 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : FDU8586
    მწარმოებელი : ON Semiconductor
    აღწერა : MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK
    სერიები : PowerTrench®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 35A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 48nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2480pF @ 10V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 77W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : I-PAK
    პაკეტი / საქმე : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • VN2222LL-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

    • FDD6670AS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 30V 76A DPAK.

    • FDD8586

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FDD8580

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FCD4N60TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK.

    • 2SK2231(TE16R1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD.