Ნაწილი ნომერი :
FDMS86102LZ
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
MOSFET N-CH 100V 7A 8-PQFN
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
7A (Ta), 22A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
22nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1305pF @ 50V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
2.5W (Ta), 69W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-PQFN (5x6)
პაკეტი / საქმე :
8-PowerTDFN