Micron Technology Inc. - MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR

KEY Part #: K938348

MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR ფასები (აშშ დოლარი) [20190ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.34783
  • 1,000 pcs$2.33615

Ნაწილი ნომერი:
MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR
მწარმოებელი:
Micron Technology Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP. NAND Flash SLC 4G 512MX8 TSOP
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - ლაზერული დრაივერი, PMIC - LED მძღოლები, ხაზოვანი - ანალოგური მულტიპლიკატორები, გამყოფი, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - DC DC გადართვის რეგულ, საათი / დრო - საათის გენერატორი, PLL, სიხშირის სინ, ხაზოვანი - შემსრულებლები, მონაცემთა შეძენა - ანალოგური წინა ბოლოს (AFE) and PMIC - ბატარეის დამტენები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR electronic components. MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR
მწარმოებელი : Micron Technology Inc.
აღწერა : IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი : FLASH
ტექნოლოგია : FLASH - NAND
მეხსიერების ზომა : 4Gb (512M x 8)
საათის სიხშირე : -
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : -
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 2.7V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 48-TSOP

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MR25H10CDCR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • MR25H10CDFR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • W25M512JVFIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • 71V25761S166PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • W9812G2KB-6I TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,