Ნაწილი ნომერი :
IPI06CN10N G
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 180µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
139nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
9200pF @ 50V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
214W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PG-TO262-3
პაკეტი / საქმე :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA