Microsemi Corporation - JANTX1N5811/TR

KEY Part #: K6454417

[13242ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    JANTX1N5811/TR
    მწარმოებელი:
    Microsemi Corporation
    Დეტალური აღწერა:
    UFRFRR.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - ზენერი - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, დენის მართვის მოდული and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N5811/TR electronic components. JANTX1N5811/TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N5811/TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JANTX1N5811/TR პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : JANTX1N5811/TR
    მწარმოებელი : Microsemi Corporation
    აღწერა : UFRFRR
    სერიები : Military, MIL-PRF-19500/477
    ნაწილის სტატუსი : Active
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 150V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 875mV @ 4A
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 30ns
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 150V
    Capacitance @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    პაკეტი / საქმე : B, Axial
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : B, Axial
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

    Უახლესი ცნობები

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • SBRD10200TR

      SMC Diode Solutions

      DIODE SCHOTTKY 200V 10A DPAK.

    • BYM11-400-E3/97

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0A 150ns Glass Passivated

    • VSKY20301608-G4-08

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 30V 2A 0603. Schottky Diodes & Rectifiers 30V Vrrm 375pF 500mV at 2.0A

    • BAV21WS-HE3-18

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250V 625mA 1A IFSM

    • SD103AWS-HE3-18

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM AUTO

    • BAS16WS-HE3-18

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 Volt 0.25 Amp 2.0A IFSM @ 1uS