ON Semiconductor - NTLJD3115PT1G

KEY Part #: K6521883

NTLJD3115PT1G ფასები (აშშ დოლარი) [432588ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.08550
  • 3,000 pcs$0.08146

Ნაწილი ნომერი:
NTLJD3115PT1G
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and ტირისტორები - TRIACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor NTLJD3115PT1G electronic components. NTLJD3115PT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTLJD3115PT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTLJD3115PT1G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : NTLJD3115PT1G
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 P-Channel (Dual)
FET თვისება : Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 6.2nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 531pF @ 10V
ძალა - მაქსიმუმი : 710mW
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 6-WDFN Exposed Pad
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 6-WDFN (2x2)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 2N5461

    ON Semiconductor

    JFET P-CH 40V 0.35W TO92.

  • 2N5458

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 0.31W TO92.

  • PN4392

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 30V 625MW TO92.

  • J112,126

    NXP USA Inc.

    JFET N-CH 40V 400MW TO92-3.

  • J113,126

    NXP USA Inc.

    JFET N-CH 40V 400MW TO92-3.

  • J177,126

    NXP USA Inc.

    JFET P-CH 30V 400MW TO92-3.