Toshiba Semiconductor and Storage - TPH12008NH,L1Q

KEY Part #: K6420260

TPH12008NH,L1Q ფასები (აშშ დოლარი) [175791ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.22097
  • 5,000 pcs$0.21987

Ნაწილი ნომერი:
TPH12008NH,L1Q
მწარმოებელი:
Toshiba Semiconductor and Storage
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N CH 80V 24A SOP.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - RF, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ხიდის გასწორება and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPH12008NH,L1Q electronic components. TPH12008NH,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPH12008NH,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPH12008NH,L1Q პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : TPH12008NH,L1Q
მწარმოებელი : Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა : MOSFET N CH 80V 24A SOP
სერიები : U-MOSVIII-H
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 80V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 24A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.3 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 300µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1900pF @ 40V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.6W (Ta), 48W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SOP Advance (5x5)
პაკეტი / საქმე : 8-PowerVDFN

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ