1N6479-E3/96 ფასები (აშშ დოლარი) [959192ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.04069
- 6,000 pcs$0.04049
- Ნაწილი ნომერი:
- 1N6479-E3/96
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB. Rectifiers 1.0 Amp 100 Volt
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and ტირისტორები - სკკ ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N6479-E3/96 electronic components. 1N6479-E3/96 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6479-E3/96, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N6479-E3/96 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
1N6479-E3/96
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
სერიები :
SUPERECTIFIER®
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
100V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.1V @ 1A
სიჩქარე :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
-
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
10µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F :
8pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
DO-213AB, MELF (Glass)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DO-213AB
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-65°C ~ 175°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
1SS250(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High
-
SE30AFB-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFJ-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 600 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFGHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFDHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFBHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in
ცხელი ნაწილები
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR
选择你的位置