Cypress Semiconductor Corp - S29GL256P11WEI019

KEY Part #: K939379

S29GL256P11WEI019 ფასები (აშშ დოლარი) [24933ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.83786

Ნაწილი ნომერი:
S29GL256P11WEI019
მწარმოებელი:
Cypress Semiconductor Corp
Დეტალური აღწერა:
IC FLASH 256M PARALLEL WAFER.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - მოდულები, ინტერფეისი - სენსორისა და დეტექტორის ინტერფეისი, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი, მეხსიერება - კონფიგურაციის პროფილაქტიკა FPGA– სთვი, PMIC - ცხელი სვოპ კონტროლერები, ჩაშენებული - მიკროკონტროლები, საათი / დრო - IC ბატარეები and PMIC - თერმული მენეჯმენტი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Cypress Semiconductor Corp S29GL256P11WEI019 electronic components. S29GL256P11WEI019 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S29GL256P11WEI019, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S29GL256P11WEI019 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : S29GL256P11WEI019
მწარმოებელი : Cypress Semiconductor Corp
აღწერა : IC FLASH 256M PARALLEL WAFER
სერიები : GL-P
ნაწილის სტატუსი : Last Time Buy
მეხსიერების ტიპი : Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი : FLASH
ტექნოლოგია : FLASH - NOR
მეხსიერების ზომა : 256Mb (32M x 8)
საათის სიხშირე : -
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 110ns
წვდომის დრო : 110ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 2.7V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : Die
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Wafer

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.

  • W632GG8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.