ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43TR16640BL-125JBL

KEY Part #: K939398

IS43TR16640BL-125JBL ფასები (აშშ დოლარი) [24994ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.12417

Ნაწილი ნომერი:
IS43TR16640BL-125JBL
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA. DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - სენსორისა და დეტექტორის ინტერფეისი, PMIC - ელექტრომომარაგების კონტროლერები, მონიტორები, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - აუდიო, PMIC - ბატარეის მენეჯმენტი, ინტერფეისი - მძღოლები, მიმღები, გადამცემები, PMIC - ხელმძღვანელები, ლოგიკა - გეითსი და ინვერტორები and PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი რეგულატორის ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640BL-125JBL electronic components. IS43TR16640BL-125JBL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43TR16640BL-125JBL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43TR16640BL-125JBL პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS43TR16640BL-125JBL
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR3L
მეხსიერების ზომა : 1Gb (64M x 16)
საათის სიხშირე : 800MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 20ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.283V ~ 1.45V
ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 95°C (TC)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 96-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 96-TWBGA (9x13)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CAV25M01YE-GT3

    ON Semiconductor

    IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.