Vishay Siliconix - SUD09P10-195-GE3

KEY Part #: K6419799

SUD09P10-195-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [228100ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.16215
  • 2,000 pcs$0.15227

Ნაწილი ნომერი:
SUD09P10-195-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, დენის მართვის მოდული and ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SUD09P10-195-GE3 electronic components. SUD09P10-195-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SUD09P10-195-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SUD09P10-195-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SUD09P10-195-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 8.8A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 195 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 34.8nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1055pF @ 50V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-252, (D-Pak)
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 2N7000

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • AUIRFR3806TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 43A DPAK.

  • AUIRFR5505TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.

  • TK60S06K3L(T6L1,NQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A DPAK-3.

  • TK65S04K3L(T6L1,NQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3.

  • AUIRLR3410TR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.