Vishay Semiconductor Diodes Division - BYM07-400HE3/83

KEY Part #: K6447688

[1339ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    BYM07-400HE3/83
    მწარმოებელი:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - ხიდის გასწორება and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYM07-400HE3/83 electronic components. BYM07-400HE3/83 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYM07-400HE3/83, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BYM07-400HE3/83 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : BYM07-400HE3/83
    მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
    აღწერა : DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213
    სერიები : SUPERECTIFIER®
    ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 400V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 500mA
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.35V @ 500mA
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 50ns
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 400V
    Capacitance @ Vr, F : 7pF @ 4V, 1MHz
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : DO-213AA (Glass)
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-213AA (GL34)
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • RURD660S9A-F085

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast Power Rectifier, 6A 600V

    • RURD660S9A-F085P

      ON Semiconductor

      UFR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers 6A, 600V Ultrafast Diodes

    • FFSD08120A

      ON Semiconductor

      1200V 8A SIC SBD. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A SIC SBD

    • RURD460S9A

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Fast Diode 4a 600V

    • VS-8EWL06FN-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V 60ns Hyperfast

    • MBRD10200TR

      SMC Diode Solutions

      DIODE SCHOTTKY 200V DPAK.