Ნაწილი ნომერი :
HIP2123FRTBZ-T
მწარმოებელი :
Renesas Electronics America Inc.
აღწერა :
IC HALF BRIDGE FET DRIVER 9TDFN
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ორიენტირებული კონფიგურაცია :
Half-Bridge
კარიბჭის ტიპი :
N-Channel MOSFET
ძაბვა - მიწოდება :
8V ~ 14V
ლოგიკის ძაბვა - VIL, VIH :
1.4V, 2.2V
აქტუალური - პიკის გამომავალი (წყარო, ჩაძირვა) :
2A, 2A
შეყვანის ტიპი :
Inverting
მაღალი გვერდითი ძაბვა - მაქს (Bootstrap) :
114V
აწევა / შემოდგომის დრო (ტიპი) :
10ns, 10ns
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
9-WDFN Exposed Pad
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
9-TDFN (4x4)