Rohm Semiconductor - RFN10B3STL

KEY Part #: K6446563

[1723ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    RFN10B3STL
    მწარმოებელი:
    Rohm Semiconductor
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 350V 10A CPD.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - RF, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Rohm Semiconductor RFN10B3STL electronic components. RFN10B3STL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RFN10B3STL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RFN10B3STL პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : RFN10B3STL
    მწარმოებელი : Rohm Semiconductor
    აღწერა : DIODE GEN PURP 350V 10A CPD
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 350V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 10A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.5V @ 10A
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 30ns
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 350V
    Capacitance @ Vr, F : -
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : CPD
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : 150°C (Max)

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • BAT54-D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

    • IDB18E120ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.

    • VS-50WQ10FNPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK.

    • VS-50WQ04FNPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK.

    • VS-30CPF02PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC.

    • VS-80EPF02PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 80A TO247AC.