Ნაწილი ნომერი :
FCPF650N80Z
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
800V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
8A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
650 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 800µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
35nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1565pF @ 100V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
30.5W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-220F
პაკეტი / საქმე :
TO-220-3 Full Pack