Infineon Technologies - AUIRFN7107TR

KEY Part #: K6401579

AUIRFN7107TR ფასები (აშშ დოლარი) [3001ცალი საფონდო]

  • 4,000 pcs$0.45945

Ნაწილი ნომერი:
AUIRFN7107TR
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 75V 75A 8PQFN.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies AUIRFN7107TR electronic components. AUIRFN7107TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRFN7107TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRFN7107TR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : AUIRFN7107TR
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 75V 75A 8PQFN
სერიები : HEXFET®
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 75V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 14A (Ta), 75A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 77nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 3001pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 4.4W (Ta), 125W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PQFN (5x6)
პაკეტი / საქმე : 8-PowerTDFN

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ