Microsemi Corporation - APT75GN120JDQ3

KEY Part #: K6533659

APT75GN120JDQ3 ფასები (აშშ დოლარი) [2820ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$15.35839
  • 10 pcs$14.20663
  • 25 pcs$13.05468
  • 100 pcs$12.13313
  • 250 pcs$11.13484

Ნაწილი ნომერი:
APT75GN120JDQ3
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
IGBT 1200V 124A 379W SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება and ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation APT75GN120JDQ3 electronic components. APT75GN120JDQ3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT75GN120JDQ3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT75GN120JDQ3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : APT75GN120JDQ3
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : IGBT 1200V 124A 379W SOT227
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : Trench Field Stop
კონფიგურაცია : Single
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 124A
ძალა - მაქსიმუმი : 379W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 75A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 200µA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 4.8nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : No
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : ISOTOP
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : ISOTOP®

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

  • VS-GT100DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.