Vishay Semiconductor Diodes Division - BYM12-100-E3/96

KEY Part #: K6449075

BYM12-100-E3/96 ფასები (აშშ დოლარი) [726662ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.05090
  • 3,000 pcs$0.04454

Ნაწილი ნომერი:
BYM12-100-E3/96
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB. Rectifiers 100 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დენის მართვის მოდული, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - ზენერი - მასივები and ტირისტორები - TRIACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYM12-100-E3/96 electronic components. BYM12-100-E3/96 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYM12-100-E3/96, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYM12-100-E3/96 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BYM12-100-E3/96
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
სერიები : SUPERECTIFIER®
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 100V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 1A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 50ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F : 20pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-213AB, MELF (Glass)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-213AB
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • DA3X101K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE GEN PURP 80V 100MA MINI3.

  • 1SS196(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching Diode S-Mini High

  • DB3X209K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 20V 500MA MINI3.

  • CDBFN140-HF

    Comchip Technology

    DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323.

  • CMDD2004 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage Diode 250Vr 300Vrrm 250mW

  • CMDD6263 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE SCHOTTKY 70V 15MA SOD323.