Ნაწილი ნომერი :
PMV50UPE,215
მწარმოებელი :
Nexperia USA Inc.
აღწერა :
MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
3.2A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
66 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
15.7nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
24pF @ 10V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
500mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-236AB
პაკეტი / საქმე :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3