VS-12EWH06FNTR-M3 ფასები (აშშ დოლარი) [169146ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.21867
- 2,000 pcs$0.19721
- Ნაწილი ნომერი:
- VS-12EWH06FNTR-M3
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURPOSE 600V 12A DPAK. Rectifiers Hyperfast 12A 600V 18ns
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - JFET, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-12EWH06FNTR-M3 electronic components. VS-12EWH06FNTR-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-12EWH06FNTR-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-12EWH06FNTR-M3 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
VS-12EWH06FNTR-M3
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE GEN PURPOSE 600V 12A DPAK
სერიები :
FRED Pt®
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
12A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
2.5V @ 12A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
-
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
10µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F :
-
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
D-PAK (TO-252AA)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-65°C ~ 175°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
VS-8EWH06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers 8 Amp 600 Volt
-
VS-8EWH02FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A D-PAK. Rectifiers Freds - D-PAK-e3
-
VS-6EWH06FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 6A D-PAK. Rectifiers Freds - D-PAK-e3
-
VS-12EWH06FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURPOSE 600V 12A DPAK. Rectifiers Freds - D-PAK-e3
-
VS-6EWH06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 6A D-PAK. Rectifiers 6 Amp 600 Volt
-
VS-5EWH06FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 5A D-PAK. Rectifiers Freds - D-PAK-e3
ცხელი ნაწილები
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08
选择你的位置