Ნაწილი ნომერი :
IXFP110N15T2
აღწერა :
MOSFET N-CH 150V 110A TO-220
სერიები :
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
150V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
110A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
150nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
8600pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
480W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-220AB
პაკეტი / საქმე :
TO-220-3